| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE30D2519K-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252-4L |
25+ |
48000 |
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| AON7611-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(3X3)-B |
25+ |
1000 |
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| IRFP9240PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247 |
25+ |
48000 |
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| SY8009AAAC-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-5 |
25+ |
48000 |
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| DMN61D8LVTQ-7-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
25+ |
48000 |
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| SI7174DP-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN8(5X6) |
25+ |
48000 |
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| IRF7301TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| NVMFWS1D5N08XT1G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN8(5X6) |
25+ |
48000 |
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| SI1012R-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC75-3 |
25+ |
48000 |
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| IRF200P222-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247 |
25+ |
48000 |
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| NCE60P04Y-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| STP30NF20-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-220 |
25+ |
48000 |
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| NCE40P40K-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| AP25N10GJ-HF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
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| 2N70L-TA3-T-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| 7N65L-TF1-T-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220F |
25+ |
48000 |
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| STP432S-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| ZVN4424ZTA-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT89 |
25+ |
48000 |
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| IRF9310TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| IRL2203NPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-220 |
25+ |
48000 |
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